Главная > МПК

Международная патентная классификация

C30B 25/18

Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы .выращивание эпитаксиальных слоев ..характеризуемое подложкой

МПК
Международная патентная классификация
Раздел C
Химия; металлургия
C30
Выращивание кристаллов
C30B
Выращивание монокристаллов ; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой ; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; устройства для вышеуказанных целей 3
C30B 25/00
Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы
C30B 25/02
.выращивание эпитаксиальных слоев

C30B 25/18

..характеризуемое подложкой

- C30B 25/20
...с подложкой из того же материала, что эпитаксиальный слой
Полная расшифровка кода МПК C30B 25/18:
Код МПК C30B 25/18 / Международная патентная классификация / Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы .выращивание эпитаксиальных слоев ..характеризуемое подложкой

Поиск

Поиск по ИНН

Проверка контрагента

Конвертеры

Изменения классификаторов

Классификаторы общероссийские

Классификаторы международные

Справочники

© classinform.ru | Контакты
Политика в отношении обработки и защиты персональных данных

Рейтинг@Mail.ru