Международная патентная классификация
H01L 21/335
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей ...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы IV группы Периодической Системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками ....многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов .....полевых транзисторов
H01L 21/335
.....полевых транзисторов
Полная расшифровка кода МПК H01L 21/335:
Код МПК H01L 21/335 / Международная патентная классификация / Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей ...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы IV группы Периодической Системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками ....многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов .....полевых транзисторов
Код МПК H01L 21/335 / Международная патентная классификация / Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей ...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы IV группы Периодической Системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками ....многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов .....полевых транзисторов
Поиск
Поиск по ИНН
Проверка контрагента
Конвертеры
Изменения классификаторов
Классификаторы общероссийские
Классификаторы международные
Справочники