Международная патентная классификация
H01L 21/368
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей ...изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в H01L 21/06,H01L 21/16 и H01L 21/18 ....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание .....с использованием жидкостного осаждения
H01L 21/368
.....с использованием жидкостного осаждения
Полная расшифровка кода МПК H01L 21/368:
Код МПК H01L 21/368 / Международная патентная классификация / Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей ...изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в H01L 21/06,H01L 21/16 и H01L 21/18 ....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание .....с использованием жидкостного осаждения
Код МПК H01L 21/368 / Международная патентная классификация / Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей ...изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в H01L 21/06,H01L 21/16 и H01L 21/18 ....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание .....с использованием жидкостного осаждения
Поиск
Поиск по ИНН
Проверка контрагента
Конвертеры
Изменения классификаторов
Классификаторы общероссийские
Классификаторы международные
Справочники