Международная патентная классификация
H01L 21/385
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей ...изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в H01L 21/06,H01L 21/16 и H01L 21/18 ....диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов в полупроводниковую подложку или из нее, или между полупроводниковыми областями .....диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою
H01L 21/385
.....диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою
Полная расшифровка кода МПК H01L 21/385:
Код МПК H01L 21/385 / Международная патентная классификация / Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей ...изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в H01L 21/06,H01L 21/16 и H01L 21/18 ....диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов в полупроводниковую подложку или из нее, или между полупроводниковыми областями .....диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою
Код МПК H01L 21/385 / Международная патентная классификация / Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей ...изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в H01L 21/06,H01L 21/16 и H01L 21/18 ....диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов в полупроводниковую подложку или из нее, или между полупроводниковыми областями .....диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою
Поиск
Поиск по ИНН
Проверка контрагента
Конвертеры
Изменения классификаторов
Классификаторы общероссийские
Классификаторы международные
Справочники