Главная > МПК

Международная патентная классификация

H01L 27/1159

Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее .содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером ..с подложкой из полупроводника ...содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией ....компоненты с полевым эффектом .....структуры постоянных запоминающих устройств ......электрически программируемые постоянные запоминающие устройства; многоступенчатые процессы их изготовления .......характеризуемые электродами затвора, содержащими слой, используемый для ферроэлектрических свойств памяти, например металл - ферроэлектрик – полупроводник ........характеризуемые областью сердечника памяти

H01L 27/1159

........характеризуемые областью сердечника памяти

Полная расшифровка кода МПК H01L 27/1159:
Код МПК H01L 27/1159 / Международная патентная классификация / Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее .содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером ..с подложкой из полупроводника ...содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией ....компоненты с полевым эффектом .....структуры постоянных запоминающих устройств ......электрически программируемые постоянные запоминающие устройства; многоступенчатые процессы их изготовления .......характеризуемые электродами затвора, содержащими слой, используемый для ферроэлектрических свойств памяти, например металл - ферроэлектрик – полупроводник ........характеризуемые областью сердечника памяти

Поиск

Поиск по ИНН

Проверка контрагента

Конвертеры

Изменения классификаторов

Классификаторы общероссийские

Классификаторы международные

Справочники

© classinform.ru | Контакты
Политика в отношении обработки и защиты персональных данных

Рейтинг@Mail.ru