Международная патентная классификация
H01L 29/15
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них .полупроводниковые подложки ..характеризуемые материалами, из которых они образованы ...структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например со множеством квантовых ям, сверхрешётки
H01L 29/15
...структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например со множеством квантовых ям, сверхрешётки
Полная расшифровка кода МПК H01L 29/15:
Код МПК H01L 29/15 / Международная патентная классификация / Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них .полупроводниковые подложки ..характеризуемые материалами, из которых они образованы ...структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например со множеством квантовых ям, сверхрешётки
Код МПК H01L 29/15 / Международная патентная классификация / Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них .полупроводниковые подложки ..характеризуемые материалами, из которых они образованы ...структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например со множеством квантовых ям, сверхрешётки