Главная > МПК

Международная патентная классификация

H01L 31/0735

Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов .предназначенные для работы в качестве фотоэлектрических преобразователей, например фотоэлектрические модули или единичные фотоэлектрические элементы ..характеризуемые, по меньшей мере, одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером ...потенциальные барьеры только типа барьеров с p-n гетероструктурным переходом ....содержащие только полупроводниковые соединения AIIIBV, например GaAs/AlGaAs или InP/GaInAs солнечные батареи

H01L 31/0735

....содержащие только полупроводниковые соединения AIIIBV, например GaAs/AlGaAs или InP/GaInAs солнечные батареи

Полная расшифровка кода МПК H01L 31/0735:
Код МПК H01L 31/0735 / Международная патентная классификация / Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов .предназначенные для работы в качестве фотоэлектрических преобразователей, например фотоэлектрические модули или единичные фотоэлектрические элементы ..характеризуемые, по меньшей мере, одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером ...потенциальные барьеры только типа барьеров с p-n гетероструктурным переходом ....содержащие только полупроводниковые соединения AIIIBV, например GaAs/AlGaAs или InP/GaInAs солнечные батареи

Поиск

Поиск по ИНН

Проверка контрагента

Конвертеры

Изменения классификаторов

Классификаторы общероссийские

Классификаторы международные

Справочники

© classinform.ru | Контакты
Политика в отношении обработки и защиты персональных данных

Рейтинг@Mail.ru